Je had het misschien niet zo door maar silicium is zowel de basis waar ontzettend veel electronica op gebaseerd is, als ook één van de beperkende factoren in de ontwikkeling van – al dan niet mobiele – technologie. Één mogelijke vervanger is grafeen, wat tot nu toe helaas niet toepasbaar was op grote, commercieel interessante schaal. Inderdaad, tot nu. Samsung heeft namelijk een methode gevonden om grafeen op grote schaal te ‘laten groeien', waardoor voor het eerst grootschalige, commerciële toepassingen binnen handbereik komen.
Grafeen is in feite een materiaal dat gevormd wordt door koolstofatomen, en maar één atoom dik is. Het heeft een aantal bijzonder prettige eigenschappen. Zo is het ruwweg 200 keer sterker dan staal, en geleidt het electronen 100 keer sneller dan silicium. Daarnaast is grafeen flexibel, en heeft het bijzonder goede warmtegeleidende eigenschappen.
Grootschalige productie van grafeen kan dus een flinke impact hebben op de snelheid van processoren en andere componenten, en door de flexibiliteit van het materiaal is het ideaal voor de volgende generatie flexibele mobiele apparaten en wearables.
De nieuwe methode voor productie van grafeen werd ontwikkeld door het Samsung Advanced Institute of Technology, in samenwerking met de School of Advanced Materials Science and Engineering van de Universiteit van Sungkyungkwan. De resultaten van het onderzoek worden vandaag gepubliceerd in het gerenommeerde tijdschrift Science, in een artikel met de bondige titel Wafer-Scale Growth of Single-Crystal Monolayer Graphene on Reusable Hydrogen-Terminated Germanium.
Hoewel het hier gaat om een belangrijke doorbrak waarvan bijna de gehele electronicasector zal kunnen profiteren, is dit pas het begin. Verwacht dus op korte termijn – lees: de eerste paar jaar – geen ultrasnelle, compleet flexibele apparaten die op allerlei manieren gebruik maken van de eigenschappen van grafeen.
Geef een reactie