Samsung introduceert eerste 8 GB LPDDR4 geheugenmodule, mogelijk voor de Galaxy S8

Samsung heeft officieel de eerste ’10 nanometer klasse’ LPDDR4 RAM module onthuld voor mobiele apparaten, met een respectabele capaciteit van 8 GB. Of we deze ook in de Galaxy S8 gaan tegenkomen is (nog) niet duidelijk.

samsung-8gb-lpddr4-10nm-galaxy-s8

Eerder dit jaar dook er al een LPDDR4 geheugenchip op met een capaciteit van 6 GB, die Samsung zelf nog niet gebruikte (al komt hij waarschijnlijk in de Chinese Galaxy C9). Samen met de vandaag onthulde 8GB variant van deze RAM module zien we hier waarschijnlijk de twee belangrijkste kandidaten voor de rol van geheugenchip in de Galaxy S8 – je weet wel, samen met de eerder deze week gelanceerde 10 nanometer processor.

Een geheugenchip die op een kleiner procedé wordt gebakken biedt in de eerste plaats natuurlijk meer capaciteit op eenzelfde oppervlak. Samsung zelf benoemt het lage energieverbruik en de hogere overdrachtssnelheid als grote voordelen van de module. Deze eigenschappen maken het geheugen bijzonder geschikt voor toepassingen met – in Samsung’s woorden – veel hoge resolutie beeldmateriaal, dual camera’s, en virtual reality.

In feite is dit laatste rijtje bijna letterlijk een opsomming van de verwachte eigenschappen van de Galaxy S8: een 4K UHD scherm, voor een verbeterde VR ervaring, én een dual lens camera.

Overigens stipt Samsung aan dat de nieuwe geheugenmodule in de ’10 nanometer klasse’ valt: gebakken op een procedé ergens tussen de 10 en 20 nanometer. Het zijn dus geen 10 nanometer chips in de strikte zin, maar de complete 8 GB module is met zijn 15 x 15 millimeter – en 1 mm dun – alleszins compact te noemen.

Galaxy deal tips

Geef een reactie

Het e-mailadres wordt niet gepubliceerd. Verplichte velden zijn gemarkeerd met *